【广州洋奕电子】美国特迪亚称重传感器，产品原装现货，*，拥有优势的价格

气压传感器用于测量气体的压强。主要适用于与气体压强相关的物理实验，如气体定律等，也可以在生物和化学实验中测量干燥、无腐蚀性的气体压强。  

气压传感器定

国家标准GB7665-87对气压传感器下的定义是：“能感受规定的被测量并按照一定的规律转换成可用信号的器件或装置，通常由敏感元件和转换元件组成”。气压传感器是由一种检测装置，能感受到被测量的信息，并能将检测感受到的信息，按一定规律变换成为电信号或其他所需形式的信息输出，以满足信息的传输、处理、存储、显示、记录和控制等要求。它是实现自动化检测和控制的首要环节。某些气压传感器主要的传感元件是一个对压强敏感的薄膜，它连接了一个柔性电阻器。当被测气体的压强降低或升高时，这个薄膜变形，该电阻器的阻值将会改变。电阻器的阻值发生变化。从传感元件取得0-5V的信号电压，经过A/D转换由数据采集器接受，然后数据采集器以适当的形式把结果传送给计算机。

美国特迪亚传感器其它型号种类

1002-1Kg 3310-1T MODEL 240称重传感器

1002-2Kg 3410-1T MODEL 1510称重传感器

1002-8Kg 3410-2T MODEL 3510称重传感器

1002-20Kg 3410-1000lb MODEL 1015称重传感器

1004-0.4Kg 3410-1500lb MODEL 9010称重传感器

MODEL 042 1kg MODEL 260 300kg

MODEL 042 3kg MODEL 260 500kg

MODEL 042 5kg MODEL 260 635kg

MODEL 042 7kg MODEL 260 660kg

MODEL 042 10kg MODEL 263 50kg

MODEL 042 15kg MODEL 263 100kg

MODEL 042 20kg MODEL 263 150kg

MODEL 042 30kg MODEL 263 200kg

MODEL 042 50kg MODEL 263 250kg

619-2000Kg 3510-750Kg

619-3000Kg 3510-1000Kg

619-5000Kg 3510-2000Kg

美国特迪亚称重传感器相关信息

数字传感器采用全密封不锈钢激光焊接技术，内充氦气保护内部电路可靠工作，防护等级达到IP68。增加了各种保护电路和防雷击设计，对仪表提供的电源*行处理，稳压后再用于电桥的激励，就消除了来自电源和雷电的浪涌干扰，使得传感器输出稳定的信号，保证了传感器的正常工作。

梅特勒-托利多的数字称重传感器内部有微处理器，可以对自身进行诊断，每个都有自己的地址，仪表能够在线监测各个传感器输出并进行智能处理，不但大大提高了称重系统的可靠性，而且可以轻松解决一些模拟传感器很难实现的如大皮重小秤量、偏载检测等要求。再加上自己*的高精度高速A/D转换技术、全面的传感器数字补偿技术以及远程高速防爆通信能力，使得性能超越了模拟传感器的极限，达到了OIML C6的精度，通过了多项认证，是真正的数字称重传感器。十多年来，梅特勒-托利多的数字称重传感器在各地广泛应用达到50万只以上。

L6D15-C3-30Kg-0.085B L6T-C3-635kg-3B6

L6D21-C3D-3Kg-4B L6T-C3-1000kg-3B6

L6D21-C3D-6Kg-4B L6W-C3-50kg-3G6

L6D21-C3D-10Kg-4B L6W-C3-70kg-3G6

L6D21-C3D-15Kg-4B L6W-C3-100kg-3G6

L6D21-C3D-20Kg-4B L6W-C3-150kg-3G6

C2P1-300Klb KIMD-M-2000KN T3P1-100Klb

C2P1-500Klb KIS-1-50KN T3P2-500lb

C2P1-9T KIS-1-100KN T3P2-1Klb

C2P1-13.6T KIS-1-200KN T3P2-2Klb

C2P1-22.7T KIS-1-500KN T3P2-3Klb

C2P1-45.4T KIS-2-0.5KN T3P2-5Klb

C2P1-90.7T KIS-2-1KN T3P2-10Klb

C2P1-13.6T KIS-2-2KN T3P2-20Klb

C2P1-227T KIS-2-5KN T3P2-50Klb

L6D21-C3D-30Kg-4B L6W-C3-200kg-3G6

工作原理

6．2 霍尔传感器与应用电路

1. 基本原理

霍尔传感器是利用半导体的磁电效应中的霍尔效应，将被测量转换成霍尔电势。 霍尔效应：将一载流体置于磁场中静止不动，若此载流体中的电流方向与磁场方向不相同时，则在此载流体中平行于由电流方向和磁场方向所组成的平面上将产生电势，此电势称为霍尔电势，此现象称为霍尔效应。

霍尔电势 UH=BbI/nebd

式中：B——外磁场的磁感应强度；

I——通过基片的电流；

n

e——电子电荷量，e=1.602×10-9C；

b——基片宽度；

d——基片厚度。

半导体材料的电阻率ρ和迁移率μ均高，砷化铟和锑化铟常被大量采用作为制作霍尔元件的材料。霍尔元件通常被制作成长方形薄片。

L6D21-C3D-40Kg-4B L6W-C3-250kg-3G6

L6D21-C3D-50Kg-4B L6W-C3-300kg-3G6

L6E-C3-50KG-2B L6W-C3-500kg-3G6

L6E-C3-60KG-2B L6W-C3-635kg-3G6

L6E-C3-80KG-2B HM11-C3-10kg-3B6-SC

L6E-C3-100KG-2B HM11-C3-20kg-3B6-SC

L6E-C3-150KG-2B HM11-C3-30kg-3B6-SC

C3P1-1Klb KIS-2-20KN U3SB-A-50lb

C3P1-2Klb KIS-2-30KN U3SB-A-100lb

C3P1-3Klb KIS-2-50KN U3SB-A-150lb

C3P1-5Klb KIS-3-1KN U3SB-A-250lb

C3P1-10Klb KIS-3-2KN U3SB-A-300lb