吴德馨：扛起中国集成电路事业大旗的“半边天”_集成电路

吴德馨：扛起中国集成电路事业大旗的“半边天”

摘要：集成电路是我国科技发展的重要组成部分，也是我国各行各业实现智能化、数字化的基础。

　　【仪表网仪表人物】导读：中国集成电路事业的大旗都是谁在扛？这位学界女杰的名字一定少不了。她是清华大学第一批半导体专业高材生，目前仍在从事砷化镓微波集成电路和光电模块的研究，为国内半导体产业的发展建言献策。

　　集成电路是我国科技发展的重要组成部分，也是我国各行各业实现智能化、数字化的基础。目前我国集成电路渗透到我国各个行业，例如工业机器人、5G网络建设、汽车电子以及计算机等重要科技领域，可以说集成电路是我国科技发展的基石，集成电路技术发展到位，我国才能够在科技领域不受制于人。

　　要问，中国集成电路事业的大旗都是谁在扛？这位学界女杰的名字一定少不了。她是清华大学第一批半导体专业高材生，目前仍在从事砷化镓微波集成电路和光电模块的研究，为国内半导体产业的发展建言献策。她就是中国科学院院士、中国早期微电子学研究的开拓者吴德馨。

(图片来源：视频截图侵权删)

　　吴德馨，女，半导体器件和集成电路专家，1936年12月20日生于河北乐亭，中国科学院微电子中心研究员。

　　1961年毕业于清华大学无线电电子工程系。1991年当选为中国科学院院士(学部委员)。1992年被国家科委聘为"深亚微米结构器件和介观物理"项目科学家。吴德馨院士从事砷化镓微波集成电路和光电模块的研究，曾获国家和中科院一等奖3项。

　　其在60年初，作为主要负责人之一，在国内首先研究成功硅平面型高速开关晶体管，所提出的提高开关速度的方案被广泛采用，并向全国推广。六十年代末期研究成功介质隔离数字集成电路和高阻抗运算放大器模拟电路。

　　70年代末研究成功MOS4K位动态随机存储器。在国内首先将正性胶光刻和干法刻蚀等技术用于大规模集成电路的研制，并进行了提高成品率的研究。在国内突破了LSI低下的局面。随后又相继研究成功16K位和64K位动态随机存储器。开发成功双层多晶硅和差值氧化工艺，创了检测腐蚀接触孔质量的露点法。

　　80年代末期自主开发成功3微米CMOSLSI全套工艺技术，用于专用电路的制造。研制成功多种专用集成电路并研究开发成功VDMOS系列功率场效应器件和砷化嫁异质结高电子迁移率晶体管。

　　90年代研究成功0.8微米CMOSLSI工艺技术，和0.1微米T型栅GaAsPHEMT器件。目前正在从事砷化镓微波集成电路和光电模块的研究。

　　目前仍在从事砷化镓微波集成电路和光电模块的研究，为国内半导体产业的发展建言献策。