中芯：N＋1工艺芯片流片成功 向芯片国产化迈步
- 2020/10/15 16:17:27 32754
- 来源：仪表网
【仪表网 仪表上游】上个世纪，我国一直与芯片制造擦肩而过。新中国成立之初，由于多年的内战，以及抗美援朝战争，我国未能抓住芯片产业刚刚兴起的契机。改革开放之后，我国把重心放在发展经济上，仍未对芯片产业给予高度重视。以至于到现在，我国仍高度依赖进口芯片，尤其是芯片，我国每年要进口超过2千亿美元的芯片，2019年更是高达3千亿美元，超过作为战略物资的原油，成为进口重点商品价值排名较好。
在信息化的当代，芯片能够广泛用于通信设备、PC/电脑、消费电子、汽车电子、医疗仪器、机器人、工业控制等各种电子产品和系统，是制造业的核心基石。根据IMF测算，每1美元半导体芯片的产值可带动相关电子信息产业10美元产值，并带来100美元的GDP，这种价值链的放大效应奠定了半导体行业在国民经济中的重要地位。
因此，对于芯片国产化，势在必行。
在半导体领域，芯片流片也就等同于“试生产”，即设计完电路以后先小规模生产几片几十片以供测试用使用，如果测试通过后就能开始大规模量产。中芯FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试完成也就意味着该制程工艺已经具备有意义的“良品率”，并且可以尝试进行批量生产。
中芯是世界较好的集成电路芯片代工企业之一，也是中国内地规模较大、技术较先进的集成电路芯片制造企业。主要业务是根据客户本身或第三者的集成电路设计为客户制造集成电路芯片。
据了解，IP和定制芯片企业芯动科技已完成基于中芯FinFET N+1先进工艺的芯片流片和测试，所有IP全自主国产，功能一次性通过。
在去年，中芯联合CEO梁孟松曾经透露过，FinFET N+1工艺的功率和稳定性与7nm工艺非常相似，大的不同在于无需EUV光刻机也可以实现。梁孟松表示，N+1工艺和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%。
在N+1之后还会有N+2，这两种工艺在功耗上表现差不多，主要区别体现在性能及成本上。N+1工艺是面向低功耗应用领域，成本较低，而N+2面向高性能领域，成本也会增加。
提到7nm及以上工艺芯片，势必离不开EUV光刻机，而FinFET N+1和N+2工艺都不会使用EUV工艺，据梁孟松介绍，在当前的环境下N+1、N+2代工艺都不会使用EUV工艺，等到设备就绪之后，N+2工艺可能会有几层光罩使用EUV，之后的工艺才会大规模转向EUV光刻工艺。
说起7nm就不得不提到目前世界上仅有的两家可以量产7nm芯片的晶圆代工巨头台积电和三星。同样是7nm工艺，台积电在早期不使用EUV的情况下搞定了7nm芯片的量产，而且效果还很不错。而三星由于使用EUV设备初期产能低，成本高，因此没有预想中的顺利，比台积电稍落后一些。
芯片在电子学中是一种把电路小型化的方式，并通常制造在半导体晶圆表面上。前述将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜集成电路。另有一种厚膜混成集成电路是由独立半导体设备和被动组件，集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。
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