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Vishay推出新款磁性编码位移传感器

2017/8/10 17:39:29    14142
来源:中国电子网
摘要:日前,Vishay宣布推出新的磁性位置传感器RAME027,其精度可与霍尔效应器件媲美,而且有更高的可靠性和更好的耐久性。
  【仪表网 仪表新品】日前,Vishay宣布推出新的磁性编码位移传感器RAME027,其精度可与霍尔效应器件媲美,而且有更高的可靠性和更好的耐久性。
 

 
  该磁性编码位移传感器RAME027,一次可编程(OTP)的Vishay Sfernice RAME027在25℃下的精度为±0.33%,高度只有27mm。典型应用包括国防和工业用的操纵杆、电动执行器、机械工具、纺织品制造、铣床和机器人。
 
  可靠的性能和结构,使RAME027成为强振动和冲击等严苛工况的理想解决方案。Vishay可以根据客户的特殊机械尺寸、输出SSI、精度和分辨率、功能强化、针对EMC和ESD的保护功能,对RAME027进行定制。Vishay还可以提供额外功能,和温度范围更宽的产品。
 
  RAME027的工作电压为5V(±0.25V),5V下的耗电小于20mA。器件的有用电角度为360°,带模拟输出,分辨率为12位,可在−25℃~+85℃温度范围内工作。
 
  (原文标题:Vishay推出新款磁性编码位移传感器具有高精度更长寿命)

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