电子材料重点专项启动会召开聚焦半导体探测关键_ 半导体,探测

电子材料重点专项启动会召开聚焦半导体探测关键

2016/11/29 11:41:41 12513: 来源：科技部

摘要：2016年国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项—“第三代半导体紫外探测材料及器件关键技术”项目启动会在江苏南京大学召开。

　　【仪表网仪表会议】近日，2016年国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项—“第三代半导体紫外探测材料及器件关键技术”项目启动会在江苏南京大学召开。项目牵头单位南京大学相关领导、项目负责人、课题负责人及参与单位代表、项目咨询专家、科技部高技术中心相关人员等出席了会议。

　　
　　“第三代半导体紫外探测材料及器件关键技术”项目旨在面向量子信息、医学成像、深空探测和国防预警等应用要求，开展高增益、低噪音AlGaN基日盲雪崩光电探测器、SiC紫外单光子探测器、相关成像阵列及紫外成像系统研究。通过从材料生长到器件研制、再到系统集成和应用演示的全链条、一体化技术攻关研究，推动宽禁带半导体紫外探测技术的实用化进程。
　　
　　会议由项目负责人南京大学陆海教授主持，科技部高技术研究发展中心相关人员介绍了“战略性先进电子材料”重点专项2016年度部署和立项情况、专项管理规则流程以及在执行过程中常见的问题，对项目管理、质量管控、宣传、经费使用以及咨询专家职能等方面提出了新的要求和建议。
　　
　　项目负责人陆海教授及各课题负责人介绍了项目拟解决的关键科学技术问题、主要研究内容、团队分工及新工作进展。项目咨询专家针对项目实施过程中的应用需求分析、实施方案、项目管理和人才培养等几个方面提出了意见和建议。
　　
　　（原标题：战略性先进电子材料重点专项—“第三代半导体紫外探测材料及器件关键技术”项目启动会在南京召开）