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悼念半导体材料专家阙端麟先生

2014/12/23 11:13:45    7345
来源:仪表网
摘要:我国半导体材料专家阙端麟先生因病逝世。
  【仪表网·人物】我国半导体材料专家阙端麟先生因病逝世。阙端麟先生生前为半导体及测试仪器行业做出贡献。
 
  据浙江大学讣告:中国共产党的亲密朋友,九三学社原中央常委、浙江省主委,我国半导体材料专家、中国科学院院士、浙江省政协原副主席、省科协原主席、原浙江大学副校长、教授阙端麟先生,因病医治无效,于2014年12月17日15时58分在杭州逝世,享年87岁。阙端麟先生遗体告别仪式定于12月22日上午9时30分在杭州殡仪馆举行。
 
  阙端麟,1928年5月19日生于福建福州。1951年毕业于厦门大学电机系,毕业后留校任教。1953年调浙江大学工作至今,1954年在国内开始从事温差电材料的研究,跨入了半导体材料这一新兴学科。1959年开始硅材料研究工作。1964年,阙端麟先生在国内首先用硅烷法制成纯硅及高纯硅烷。
 
  阙端麟先生先后主持并完成的研究课题有硅烷法制取高纯硅;红外光源硅单晶寿命仪;减压充氮直拉硅单晶技术;双频动态电导法硅单晶导电型号仪.1超高纯硅烷国家六五攻关;探测器级特高阻硅单晶国家六五、七五攻关项目;微氮直拉硅单晶的基础研究有关课题和多孔硅发光机理研究等。
 
  阙端麟先生作为半导体材料专家,为我国仪器仪表等发展做出了贡献。先生主持研制生产仪器的技术指标大大超过同类进口仪器水平,尤其是使硅单晶工业产品寿命测试仪全部国产化,该成果获国家发明奖三等奖。
 
  在教育上,作为浙江大学半导体材料学科的奠基人,先生领导该学科成为国务院学位委员会批准的批硕士学位授予点之一和个半导体材料工学博士学位授予点,1988年被评为国家重点学科;1987年获批建成高纯硅及硅烷国家重点实验室;先后为本科生、研究生首开《电工材料》、《半导体材料》、《近代物理基础》等10余门新课,治学严谨,精心育人,“桃李满天下”。
 
  阙端麟先生的逝世,不仅是半导体材料届的损失,也是我国仪器仪表行业,乃至科技界、教育界的重大损失。他崇高的科学精神和道德风范永远值得我们学习和敬仰。

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