新型电流传感器提升霍尔效应水平
- 2014/10/16 10:50:04 6663
- 来源：仪表网
日前，莱姆电子推出全新LFxx10系列传感器，四个系列的型号为：LF210-S、LF310-S、LF510-S、LF1010-S，可对200A到2000A的DC、AC和脉冲电流进行非介入式测量。第五款LF2010-S将于2015年2月推出。
莱姆不断创新，研发出基于霍尔效应的传感器，其性能可与磁通门技术的传感器媲美。这一切得益于基于霍尔效应的ASIC技术的问世。莱姆次把ASIC新技术应用于闭环原理的电流传感器，也就是LFxx10系列。此集成电路大幅提高了产品性能，LEM拥有其。
LFxx10系列实现了全新的突破。与前一代闭环霍尔效应电流传感器相比，在全工作温度范围内，总精度提高了一倍(IPN的0.4-0.6%)，大零点漂移为IPN的0.1%。
目前，莱姆公司通过创新研发的基于霍尔效应的传感器，其性能可与磁通门技术传感器媲美。此次也是莱姆次将基于霍尔效应的ASIC技术应用到其传感器产品中，其应用于闭环原理的电流传感器，大幅提高了该系列产品的性能。
此次莱姆公司推出的LFxx10系列传感器，在性能上实现了全新的突破。与前一代闭环霍尔效应电流传感器相比，在全工作温度范围内，新产品的总精度可提高一倍，大零点漂移为IPN的0.1%。同时，该系列产品在性能方面与磁通门相当，同时还可为客户提供了更优化的控制和更高的系统效率。具有更好的性价比，并克服了磁通门噪声、原边电流启动等缺点，过载后重启没有延迟。该系列产品在性能方面与磁通门相当，同时还为客户提供了更优化的控制和更高的系统效率。具有更好的性价比，并克服了磁通门噪声、原边电流启动等缺点，而且过载后重启没有延迟。
/-12到 /-24V的双电源供电(取决于不同型号)，与前一代相比，LFxx10系列传感器具有更宽的电流测量范围，如：LF510-S测量范围达到3倍IPN。由于采用了专用的磁芯和绕组设计，对于di/dt阶跃响应更快，响应时间小于0.5µs。
LFxx10系列的另一个重要的优点是：对于被测电流以外的其他电流(AC或DC)所产生的磁场具有较强的抗干扰能力(优于前一代五倍)。由于其不受邻近的其它元器件产生磁场的影响，因此，可在恶劣的应用环境中进行更便捷的产品布局。
新系列完全兼容之前的LEMLFxx05系列，配置相同的安装基座，故可方便地将其安装到旧的装置中。并提供适用于各个电流范围的各种尺寸和面板安装要求(平面或垂直)，丝毫不会影响原边电路和测量电路之间的高绝缘等级。
全新的LFxx10系列具备更高的性能和便利的安装方式，可用于需要提高控制精度及自动化程度的应用领域，以提升生产能力和能源效率。例如：调速驱动器、伺服驱动器、UPS电源、电池供电系统、焊接电源、空调、家用电器、DC驱动器以及机器人等应用等。并对这些应用实现了佳效率控制。
莱姆LFxx10传感器系列的另一个重要的优点是，其对于被测电流以外的其他电流（AC或DC）所产生的磁场具有较强的抗干扰能力，由于这一特点，使用者可在恶劣的应用环境中进行更便捷的产品布局，方便总体的系统设计。
在兼容性方面，莱姆新系列传感器完全兼容此前推出的莱姆LFxx05系列，其配置相同的安装基座可方便地将新传感器安装到旧的装置中。并提供适用于各个电流范围的各种尺寸和面板安装要求，不会影响原边电路和测量电路之间的高绝缘等级。
全新的莱姆LFxx10系列具备更高的性能和便利的安装方式，可用于需要提高控制精度及自动化程度的应用领域，以提升生产能力和能源效率，如调速驱动器、伺服驱动器、UPS电源、电池供电系统、焊接电源、空调、家用电器、DC驱动器以及机器人等应用等。并对这些应用实现了佳效率控制。
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