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　　【仪表网 研发快讯】为了满足高端被动短波红外成像的需求，传感器必须同时具有高响应度和低噪声，获得极高的信噪比/比探测率，以实现对微弱红外光的探测(晴朗星光，<10⁻⁸ W·Sr⁻¹·cm⁻²·μm⁻¹)。当前主流的外延型短波红外探测技术依赖于单晶的铟镓砷(InGaAs)PN型光电二极管，由于缺乏本征增益，其比探测率很难达到5×1013 Jones，难以满足星光探测需求。雪崩光电二极管(APD)虽然在大偏压下通过“雪崩”效应产生了光电流的倍增，但在“光电混合”的架构下，由于载流子的随机电离这类器件表现出更大的过剩噪声，依然很难实现灵敏度的大幅度提升。近年来，基于新型低维材料的光电晶体管不仅与硅基读出电路工艺兼容，并具有较高的本征增益，但由于其缺陷主导的工作机制、且光传感和电放大单元直接接触，面临增益带宽积受限、噪声被放大(杂质散射等)的困境。
 

　　近日，北京大学电子学院、碳基电子学研究中心、纳光电子前沿科学中心、重庆碳基集成电路研究院的张志勇教授团队联合北京交通大学物理科学与工程学院王颖副教授团队开发了一种异质结栅场效应晶体管(HGFET，图1)，利用光电解耦机制，实现了对信号的超高增益，而基本不放大噪声，获得了对短波红外探测的比探测率达到1014 Jones，充分满足了星光夜视的需求。团队采用高纯半导体碳纳米管网状薄膜作为半导体沟道构建MOS晶体管，在其栅介质上制备硫化铅量子点/氧化锌异质结光电二极管作为栅极，实现了光传感和电放大的物理空间隔离。该光电晶体管暗电流低，对极弱红外光(1300 nm，0.46 nW/cm2)具有显著的响应(图2)，而且具有超高的本征增益和响应度、较低的噪声和较高的响应速度，在高增益模式下，峰值比探测率超过1014 Jones。在同等测试条件下，碳基HGFET探测器比商用的InGaAs探测器的比探测率高出两个量级，并在增益带宽积上相对于已有探测器显示出明显优势(图3—4)。团队还基于碳基HGFET光电晶体管实现了64×64像素的板级成像芯片，初步演示了光强低至100 nW/cm2的弱光环境成像(图5)。更为重要的是，碳基HGFET探测阵列可以在硅基IC上利用后道工艺集成，通过通孔直接与硅基读出电路链接，可以将像素间距缩减到5微米以下，实现超高分辨率成像。
 

图1 碳基光电解耦光电晶体管探测架构及其增益噪声机制
 

图2 碳基HGFET器件的超灵敏近红外光响应特性测试
 

图3 碳基HGFET器件与商用铟镓砷器件同条件测试对比
 

图4 高性能的碳基HGFET型短波红外探测器
 

图5 64×64像素HGFET面阵成像演示
 

　　相关研究成果以题为《用于星光探测的光电解耦型光电晶体管》(“Opto-Electrical Decoupled Phototransistor for Starlight Detection”)的论文，于11月12日在线发表于Advanced Materials。北京大学电子学院2021级博士研究生周绍元为第一作者，王颖、张志勇为通讯作者。北京大学电子学院蒋见花副研究员，北京邮电大学集成电路学院张盼盼特聘研究员，华中科技大学集成电路学院张建兵副教授及光学与电子信息学院唐江教授为合作作者。上述研究得到了国家自然科学基金的资助，以及北京大学微纳加工实验室校级平台支持。