120亿、15亿，国内2个8英寸碳化硅项目迎来新进展
- 2024/6/27 13:23:05 20099
- 来源：中自网
该项目总投资120亿元，建设一条以SiC-MOSEFET为主要产品的8英寸SiC功率器件芯片制造生产线，建成后将形成年产72万片8英寸碳化硅功率器件芯片的生产能力。
该项目分两期建设，其中，一期项目总投资70亿元，新增8英寸SiC芯片3.5万片/月的生产能力，二期投资规模约50亿元，新增8英寸SiC芯片2.5万片/月的生产能力。
据“今日海沧”介绍，该项目一期预计2025年三季度末初步通线，2025年四季度试生产，达产后年产42万片
据悉，项目建成后将极大提升士兰微碳化硅芯片制造能力，较好满足国内新能源汽车所需的碳化硅芯片需求，并有能力向光伏、储能、充电桩等功率逆变产品提供高性能的碳化硅芯片。
当前，尽管市场上的SiC尺寸仍以6英寸为主，但国内厂商都在积极布局8英寸。无独有偶，国内另一个8英寸碳化硅项目也于近日迎来新的进展，即中晶芯源宣布8英寸SiC北方基地正式投产。
2023年，南砂晶圆在山东济南成立山东中晶芯源半导体科技有限公司(简称“中晶芯源”)，建设8英寸碳化硅北方基地。根据规划，该项目总投资额15亿元，将建设一个8英寸碳化硅衬底的生产基地，预计2025年实现满产达产。
今年3月，南砂晶圆总经理王垚浩表示，该公司正在积极扩产济南厂区，计划将中晶芯源项目打造成为全国最大的8英寸SiC衬底生产基地，计划于2025年实现满产达产。
除上述两家厂商外，国内不少企业都在加速布局8英寸碳化硅赛道，如三安光电、天科合达、天岳先进、芯联集成、青禾晶元、合盛硅业、乾晶半导体、同光股份、科友半导体等。
其中，青禾晶元于今年4月宣布，成功制备了8英寸SiC键合衬底。同时，芯联集成的8英寸SiC工程批已顺利下线、科友半导体也正在与俄罗斯N公司开展“8英寸SiC完美籽晶”项目合作。
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