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《半导体器件间歇工作寿命试验设备》团体标准征求意见

2022/8/17 14:00:28    28276
来源:仪表网
摘要:本文件规定了半导体集成电路间歇工作寿命试验设备的术语和定义、基本参数、技术要求、试验方法、检验规则、标志、使用说明书、包装、运输和贮存。
  【仪表网 仪表标准】由浙江省质量协会组织,杭州高坤电子科技有限公司主起草的团体标准《半导体器件间歇工作寿命试验设备》已完成征求意见稿,根据《团体标准管理规定》(国标委联〔2019〕1 号)、《浙江省质量协会团体标准管理办法》(试行)的有关规定,现公开征求意见。
 
  本文件按照GB/T 1.1—2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。本文件参考GB/T 191 包装储运图示标志;GB/T 4793.1 测量、控制和实验室用电气设备的安全要求 第1部分:通用要求;GB/T 5170.2—2017 电工电子产品环境试验设备检验方法 温度试验设备;GB/T 6587—2012 电子测量仪器通用规范;GB/T 9969 工业产品使用说明书总则;GB/T 17626.2 电磁兼容性 试验和测量技术 静电放电抗扰度试验;GB/T 17626.3 电磁兼容性 试验和测量技术 射频电磁场辐射抗扰度试验;GB/T 17626.4 电磁兼容性 试验和测量技术 电快速瞬变脉冲群抗扰度试验等规范编制。
 
  本文件规定了半导体集成电路间歇工作寿命试验设备的术语和定义、基本参数、技术要求、试验方法、检验规则、标志、使用说明书、包装、运输和贮存。本文件适用于Si/SiC二极管、三极管、MOSFET/IGBT等器件的间歇工作寿命试验设备。
 
  工作环境:
 
  寿命试验设备工作环境应符合下列要求:a)环境温度:5℃~35℃;b)相对湿度:≤80%RH;c)大气压强:86kPa~106kPa;d)电网电压:AC220V±10%;e)电网频率:50Hz±8Hz;f)周围无强磁场干扰和有害气体侵蚀;g)周围无强烈振动,无其他热源直接辐射。
 
  外观结构:
 
  1.设备外壳不得有明显斑点、划痕、色斑等缺陷,应无危害安装、正常使用或维护的尖端或锐边。2.设备接插件插头绝缘应无任何破损,并接插稳固。3.设备开关及按键应灵活可靠,零部件装配应牢固,无卡涩、松动现象。4.试验通道应光滑平整、无变形、损失,箱门应开关灵活,闭合紧密。5.设备整体尺寸应符合设计图纸要求,尺寸偏差应为±5mm。6.说明性文字、符号、标志应清晰、耐久。
 
  试验条件:
 
  试验应在下列条件下进行:a)温度:15℃~35℃;b)湿度:(40~60)%RH;c)大气压:86kPa~106kPa;d)电源:标称交流电源;e)状态:正常工作状态。
 
  型式试验:
 
  有下列情况之一,应进行型式检验: a) 新产品或老产品转厂生产的试制定型鉴定时;b) 正式生产后,如结构、材料、工艺等有较大改变,可能影响产品性能时; c) 正常生产,每年应进行一次型式试验;d)产品长期停产1年后,恢复生产时; e) 出厂检验结果与上次型式检验有较大差异时。
 
  型式检验样品应从出厂检验合格的产品中随机抽取2个样品。型式检验全部项目合格应判定型式检验合格,若有不合格项时,应对不合格项进行复检,复检合格应判定为合格,复检仍不合格,应判定型式检验不合格。

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