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InGaAs APD InGaAs雪崩光电二极管
具体成交价以合同协议为准
2018-05-16深圳市
- 型号
- InGaAs APD
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产品简介
光电探测器，具有体积小，相应度高等特点，适合于微弱光信号检测。
详细信息
InGaAs雪崩光电二极管
特点：
高速
平面正照型
TO-Can封装或带尾纤输出
zui大可用增益达到20
应用：
光通讯接收设备
CATV接收机
OTDR
光电特性(T = 22℃)：
| 参 数 | 符号 | 测试条件 | zui小值 | 典型值 | zui大值 |
| 光谱响应范围（nm） | λ | 1000 | 1700 | ||
| 光敏面直径(um) | φ50 | ||||
| 响应度(A/W) | Re | λ=1.55um,M=10,φ=1uw | 8 | 8.5 | |
| 击穿电压(V) | VBR | ID=100uA, φ=0 | 30 | 60 | |
| 击穿电压温度系数(V/℃) | δ | TC=-40~+85℃ | 0.1 | 0.15 | |
| 暗电流(nA) | ID | M=10, φ=0 | 1 | 10 | |
| 总电容(pF) | Ctot | M=10, φ=0,f=1MHz | 0.6 | 1 | |
| 响应时间(ns) | fT | M=10, φ=0, λ=1.55um | 0.15 | 0.3 | 0.5 |
| zui大可用增益 | Mmax | VR=0.98VBR | 20 | ||
| *工作电压(*Vbr) | VR | M=10, φ=1, λ=1.55um | 0.9 | 0.95 | |
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