BD916介质损耗测试装置技术特性 

平板电容器： 极片尺寸：Φ50mm/Φ38mm 可选  
极片间距可调范围：≥15mm 
2. 夹具插头间距：25mm±0.01mm 
3. 夹具损耗正切值≤4×10-4 （1MHz） 
4．测微杆分辨率：0.001mm
 
电感：
 
线圈号    测试频率    Q值    分布电容p       电感值  
  9         100KHz      98       9.4           25mH
  8         400KHz     138       11.4        4.87mH
  7         400KHz    202       16           0.99mH
  6           1MHz     196       13          252μH
  5           2MHz     198       8.7        49.8μH
  4         4.5MHz    231       7             10μH 
  3          12MHz      193     6.9         2.49μH
  2          12MHz      229     6.4        0.508μH             
  1   25MHz，50MHz   233，211    0.9       0.125μH 

满足标准：GBT 1409-2006测量电气绝缘材料在工频、音频、高频（包括米波波长在内）下电容率和介质损耗因数的*方法

一、介电常数介质损耗试验仪概述
介质损耗和介电常数是各种电瓷、装置瓷、电容器等陶瓷，还有复合材料等的一项重要的物理性质，通过测定介质损耗角正切tanδ及介电常数（ε），可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素，为提高材料的性能提供依据；仪器的基本原理是采用高频谐振法，并提供了，通用、多用途、多量程的阻抗测试。它以单片计算机作为仪器的控制，测量核心采用了频率数字锁定，标准频率测试点自动设定，谐振点自动搜索，Q值量程自动转换，数值显示等新技术，改进了调谐回路，使得调谐测试回路的残余电感减至低，并保留了原Q表中自动稳幅等技术，使得新仪器在使用时更为方便，测量值更为精确。仪器能在较高的测试频率条件下，测量高频电感或谐振回路的Q值，电感器的电感量和分布电容量，电容器的电容量和损耗角正切值，电工材料的高频介质损耗，高频回路有效并联及串联电阻，传输线的特性阻抗等。
该仪器用于科研机关、学校、工厂等单位对无机非金属新材料性能的应用研究。
 
  主要技术特性  
Q 值测量范围  2 ～ 1023 ， 量程分档： 30 、 100 、 300 、 1000 ，自动换档或手动换档  
固有误差  ≤ 5 ％ ± 满度值的 2 ％（ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤6％ ± 满度值的2％（10MHz～160MHz）  
工作误差  ≤7％ ± 满度值的2％ （ 200kHz ～ 10MHz ）， ≤8％ ± 满度值的2％（10MHz～160MHz）  
电感测量范围  4.5nH ～ 140mH  
电容直接测量范围  1 ～ 200pF  
主电容调节范围  18 ～ 220pF  
主电容调节准确度  100pF 以下 ± 1pF ； 100pF 以上 ± 1 ％  
信号源频率覆盖范围  100kHz ～ 160MHz  
频率分段 （ 虚拟 ）  100 ～ 999.999kHz ， 1 ～ 9.99999MHz,10 ～ 99.9999MHz ， 100 ～ 160MHz  
频率指示误差  3 × 10 -5 ± 1 个字  

介电常数介质损耗测试仪的操作步骤

介电常数Σ的测试
a. 再松开二极片，把被测样品插入二极片之间，调节平板电容器，到二极片夹住样品止（注意调节时要用测微杆，以免夹得过紧或过松），这时能读取的测试装置液晶显示屏上的数值，既是样品的厚度D2。改变Q 表上的主调电容容量，使Q 表处于谐振点上。
b. 取出平板电容器中的样品，这时Q 表又失谐，此时调节平板电容器，使Q 表再回到谐振点上，读取测试装置液晶显示屏上的数值记为D4
c. 计算被测样品的介电常数：
Σ＝D2 / D4
5．介质损耗系数的测试
a. 重新把测试装置上的夹具插头插入到Q 表测试回路的“电容”两个端上。把被测样品插入二极片之间，改变Q 表上的主调电容容量，使Q 表处于谐振点上，读得Q 值，记为Q2。电容读数记为C2。
b. 取出平板电容器中的样品，这时Q 表又失谐，再改变Q 表上的主调电容容量，使Q 表重新处于谐振点上。读得Q 值，记为Q1。电容读数记为C1。
c. 然后取下测试装置，再改变Q 表上的主调电容容量，重新使之谐振，电容读数记为C3，此时可计算得到测试装置的电容为CZ = C3 －C1
d. 计算被测样品的介质损耗系数

 
式中：CZ 为测试装置的电容（平板电容器二极片间距为样品的厚度D2）
C0 为测试电感的分布电容（参考LKI-1 电感组的分布电容值）