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GMSD2000 氧化钴浆料研磨分散机
一、氧化钴物料基础介绍
氧化钴(CoO、Co₃O₄四氧化三钴)属于钴系金属氧化物粉体,是锂电池钴酸锂前驱原料、催化材料、陶瓷色料、电子浆料、磁性材料核心原料。超细纳米氧化钴比表面积大、表面能高,粉体极易形成软硬团聚;分为水基浆料、NMP 溶剂型浆料两大主流体系。
生产工艺痛点
超细氧化钴粉体团聚严重,常规搅拌仅实现宏观混合,无法解离微观团聚颗粒,浆料存在粗大团块;
颗粒沉降速度快,浆料静置分层,涂布、烧结后产物成分不均,影响电化学性能与成品致密度;
剪切强度难以把控:剪切不足分散不充分,瞬时强剪切易造成颗粒破碎过度,粒径分布恶化;
研磨摩擦持续升温,容易引发助剂降解、溶剂挥发,高纯度体系还需严控设备磨损带来金属杂质污染;
粉体润湿困难,投料易形成干粉抱团、白点,延长制浆周期;
批次间浆料细度、流变性能波动大,导致下游前驱体制备、烧结成品品质不稳定。
二、GMSD2000 氧化钴浆料管线式研磨分散机
产品概述
GMSD2000 氧化钴浆料研磨分散机为三级管线式一体化研磨分散设备,针对四氧化三钴 / 氧化钴湿法制浆、钴前驱体浆料细化、高固含氧化钴悬浮液均质专项开发。集成粗打散、梯度研磨、精细分散功能,逐级瓦解氧化钴粉体团聚结构,促进粉体充分润湿;可配套反应釜循环间歇工艺,也可接入连续生产线,有效缩小粒径分布,减缓浆料沉降,保障钴系粉体浆料均匀稳定,广泛应用新能源前驱体、精细化工、电子陶瓷制浆工序。

工作原理
高速电机驱动多级锥形定转子高速运转,浆料负压连续吸入研磨腔体。
第yi级粗研磨区:破碎氧化钴大块干粉团、松散絮凝团聚体,快速实现粉体浸润;
第二级精密研磨间隙:依靠可控挤压、流体剪切、摩擦作用,解离粉体微观团聚;
第三级分散均质区:氧化钴颗粒均匀分散于液相介质,在分散剂作用下形成稳定悬浮体系,抑制颗粒重新絮凝。
物料单次通过腔体即可完成打散 - 研磨 - 分散全过程;腔体可选冷却夹套带走摩擦热量,控制料温,保护有机分散助剂。
核心优势
针对氧化钴超细粉体易团聚、易沉降、高纯体系严控杂质的特点优化阶梯式研磨齿形,采用梯度可控剪切,平衡研磨细度与颗粒完整性。
研磨分散一体化结构,简化制浆流程,减少物料多次周转;
间隙可调锥形研磨定转子,适配不同固含量、不同初始粒径氧化钴浆料,灵活调控出料细度;
可选腔体冷却夹套,降低研磨温升,避免分散剂失效、溶剂大量挥发;
316L 镜面过流腔体,耐磨耐腐蚀,减少金属离子析出污染高纯钴浆料;防爆机型可选,适配 NMP 等有机溶剂体系;
密闭管线循环作业,减少溶剂挥发与外界杂质侵入,批次重复性优异;
提升浆料稳定性:粉体充分解聚,悬浮周期延长,改善下游烧结、合成产物均一性。
氧化钴浆料研磨分散机设备参数
型号 | 标准流量(L/h) | 转速(rpm) | 线速度(m/s) | 马达功率(KW) | 进出口尺寸 |
GMSD2000/4 | 300 | 14000 | 41 | 4 | DN25/DN15 |
GMSD2000/5 | 1500 | 10500 | 41 | 11 | DN50/DN32 |
GMSD2000/10 | 4000 | 7200 | 41 | 22 | DN80/DN65 |
GMSD2000/20 | 10000 | 4900 | 41 | 45 | DN100/DN80 |
GMSD2000/30 | 20000 | 2850 | 41 | 90 | DN150/DN125 |
GMSD2000/50 | 60000 | 1100 | 41 | 160 | DN200/DN150 |
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