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功率半导体器件IGBT单管/模块检测设备
具体成交价以合同协议为准
2026-07-22深圳市
- 型号
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产品简介
广泛应用于器件设计，封装测试，轨道交通，电动汽车 ，风力发电，变频器，焊机等行
详细信息
华科智源HUSTEC-1600A-MT静态参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试，还可以测量大功率二极管 、IGBT模块，大功率 IGBT、大功率双极型晶体管，MOS管等器件的 V-I 特性测试，测试1200A（可扩展至2000A），5000V以下的各种功率器件，广泛应用于轨道交通，电动汽车 ，风力发电，变频器，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析，设备还可以用于变频器，风电，轨道交通，电焊机等行业的在线检修，无需从电路板上取下来进行单独测试，可实现在线IGBT检测，测试方便，测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试，通过电脑操作完成 IGBT 的静态参数测试；
产品信息：
1、产品型号及名称：IGBT静态参数测试仪
2、产品测试电流电压为1600A,±5000V,向下兼容
3、VGE可达±100V；开启电压VGETH支持两种测试方法；
4、采用插槽式设计结构，便于升级和维护；
5、设备支持SI基，SIC材料的MOS管，IGBT单管及模块，二极管测试，晶闸管测试，
6、自动进行分档测试，既覆盖大功率特征下的测试范围，又可保证小功率器件测试精度
7、支持单点测试，I-V曲线扫描，还具有曲线对比功能；
8、测试数据可存储为Excel文件，WORD报告
9、安全性，防爆，防触电，防烫伤，短路保护等多重保护措施，确保操作人员、设备、数据及样品安全。
测试参数：
ICES 集电极-发射极漏电流
IGESF 正向栅极漏电流
IGESR 反向栅极漏电流
BVCES 集电极-发射极击穿电压
VGETH 栅极-发射极阈值电压
VCESAT 集电极-发射极饱和电压
ICON 通态电极电流
VGEON 通态栅极电压
VF 二极管正向导通压降
整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用
基础能力：
1) 测试电压范围：0-±5000V
2) 测试电流范围：0-±1600A
3) 测试栅极电压范围：0-±100V
4) 电压分辨率：0.1mV
5) 电流分辨率：0.1nA
测试种类及参数：
（1）Diode（支持 Si ,SiC , GaN 材料器件）
静态参数：BVR/击穿电压、IR/漏电流、VF/正向压降；
（2）MOSFET（支持 Si ,SiC , GaN 材料器件）
静态参数：BVDSS/漏源极击穿电压，VGS(th)/栅极开启电压，IDSS 漏源极漏电流、VF/二极管正向压降；Rdson 内阻
（3）IGBT单管及模块（支持 Si ,SiC , GaN 材料器件）
静态参数：BVCES/集射极击穿电压，VGE(th)/栅极开启电压 、ICES/集射极漏电流、VF/二极管正向压降；VCESAT/饱和压降，IGESR,IGESF 栅极漏电流
华科智源HUSTEC-1600A-MT静态参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试，还可以测量大功率二极管 、IGBT模块，大功率 IGBT、大功率双极型晶体管，MOS管等器件的 V-I 特性测试，测试1200A（可扩展至2000A），5000V以下的各种功率器件，广泛应用于轨道交通，电动汽车 ，风力发电，变频器，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析，设备还可以用于变频器，风电，轨道交通，电焊机等行业的在线检修，无需从电路板上取下来进行单独测试，可实现在线IGBT检测，测试方便，测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试，通过电脑操作完成 IGBT 的静态参数测试；
产品信息：
1、产品型号及名称：IGBT静态参数测试仪
2、产品测试电流电压为1600A,±5000V,向下兼容
3、VGE可达±100V；开启电压VGETH支持两种测试方法；
4、采用插槽式设计结构，便于升级和维护；
5、设备支持SI基，SIC材料的MOS管，IGBT单管及模块，二极管测试，晶闸管测试，
6、自动进行分档测试，既覆盖大功率特征下的测试范围，又可保证小功率器件测试精度
7、支持单点测试，I-V曲线扫描，还具有曲线对比功能；
8、测试数据可存储为Excel文件，WORD报告
9、安全性，防爆，防触电，防烫伤，短路保护等多重保护措施，确保操作人员、设备、数据及样品安全。
测试参数：
ICES 集电极-发射极漏电流
IGESF 正向栅极漏电流
IGESR 反向栅极漏电流
BVCES 集电极-发射极击穿电压
VGETH 栅极-发射极阈值电压
VCESAT 集电极-发射极饱和电压
ICON 通态电极电流
VGEON 通态栅极电压
VF 二极管正向导通压降
整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用
基础能力：
1) 测试电压范围：0-±5000V
2) 测试电流范围：0-±1600A
3) 测试栅极电压范围：0-±100V
4) 电压分辨率：0.1mV
5) 电流分辨率：0.1nA
测试种类及参数：
（1）Diode（支持 Si ,SiC , GaN 材料器件）
静态参数：BVR/击穿电压、IR/漏电流、VF/正向压降；
（2）MOSFET（支持 Si ,SiC , GaN 材料器件）
静态参数：BVDSS/漏源极击穿电压，VGS(th)/栅极开启电压，IDSS 漏源极漏电流、VF/二极管正向压降；Rdson 内阻
（3）IGBT单管及模块（支持 Si ,SiC , GaN 材料器件）
静态参数：BVCES/集射极击穿电压，VGE(th)/栅极开启电压 、ICES/集射极漏电流、VF/二极管正向压降；VCESAT/饱和压降，IGESR,IGESF 栅极漏电流
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