半导体器件测试

1、产品型号及名称：IGBT静态参数测试仪

3、VGE可达±100V；开启电压VGETH支持两种测试方法；

5、设备支持SI基，SIC材料的MOS管，IGBT单管及模块，二极管测试，晶闸管测试，

7、支持单点测试，I-V曲线扫描，还具有曲线对比功能；

9、安全性，防爆，防触电，防烫伤，短路保护等多重保护措施，确保操作人员、设备、数据及样品安全。

测试参数：

IGESF 正向栅极漏电流

BVCES 集电极-发射极击穿电压

VCESAT 集电极-发射极饱和电压

VGEON 通态栅极电压

整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用

基础能力：

2) 测试电流范围：0-±1600A

4) 电压分辨率：0.1mV

（1）Diode（支持 Si ,SiC , GaN 材料器件）

（2）MOSFET（支持 Si ,SiC , GaN 材料器件）

（3）IGBT单管及模块（支持 Si ,SiC , GaN 材料器件）

<p helvetica="" neue",="" helvetica,="" arial,="" tahoma,="" "microsoft="" yahei",="" "pingfang="" sc",="" "hiragino="" sans="" gb",="" "heiti="" "wenquanyi="" micro="" hei",="" sans-serif;="" outline:="" none;="" background-color:="" rgb(255,="" 255,="" 255);="" line-height:="" 2em;"="" style="box-sizing: border-box; -webkit-tap-highlight-color: rgba(0, 0, 0, 0); appearance: none; margin: 0px; padding: 0px; border-width: medium; border-style: none; border-color: currentcolor; border-image: initial; color: rgb(51, 51, 51);">静态参数：BVCES/集射极击穿电压，VGE(th)/栅极开启电压 、ICES/集射极漏电流、VF/二极管正向压降；VCESAT/饱和压降，IGESR,IGESF 栅极漏电流