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cl 硫化镉合成炉 CdS合成炉
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2026-06-17青岛市
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产品简介
硫化镉合成炉 CdS合成炉专为硫化镉气相化合工艺研发，多段梯度温场+高真空密闭腔体，精准控制硫、镉单质气化反应，稳定产出6N高纯CdS多晶料。
详细信息
核心技术参数
- 温区数量：3–4段独立温控
- 工作温度：1250℃
- 极限真空度：≤1×10⁻³Pa
- 控温精度：±1℃
- 加热元件：硅碳棒/钼丝可选
- 适配原料：金属镉、升hua硫气相合成CdS多晶
- 炉腔材质：高纯石英反应管
核心应用领域
1. 光伏产业：碲化镉薄膜电池缓冲层CdS靶材原料
2. 光电探测：可见光/紫外光电探测器、光敏电阻基底材料
3. 催化材料：可见光光催化、纳米硫化镉粉体前驱体制备
4. 光学器件：红外窗口、荧光发光晶体、量子点原材料
5. 科研院所：Ⅱ-Ⅵ族半导体材料气相合成、新材料实验研发
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