PMC51 E+H单法兰压力变送器

压力变送器，采用陶瓷和金属传感器

工作原理：E+H单法兰压力变送器通常采用压阻式敏感芯体，敏感芯体受压后产生电阻变化，再通过放大电路将电阻的变化转换为标准信号输出。也有部分型号采用电容式原理，如差压变送器，当两侧压力不同时，测量膜片产生位移，致使两侧电容量不等，通过振荡和解调环节将其转换为标准电信号。

应用

仪表可以进行下列测量：

• 所有过程领域和过程测量技术中气体、蒸汽或液体的绝压和表压测量

• 液体的液位、体积或质量测量

• 高过程温度

– 不带隔膜密封系统：max. 130°C (266°F) ；在 60 min 内，max. 150 °C (302 °F)

– 带隔膜密封系统：max. 400°C (752°F)

• 高压力，max. 400 bar (6000 psi)

• 通过多项国际认证，应用广泛

优势

• 重复性和长期稳定性

• 高参考测量精度：max. ±0.15 % ；铂金型：max. ±0.075%

• 量程比：max. 100:1

• 标准化平台，适用于差压变送器 (Deltabar S)、静压变送器 (Deltapilot S) 和压力

变送器 (Cerabar S)

• 使用满足现实应用的用户接口，调试简单、快速

• 过程压力监测的安全等级为 SIL2，通过 TÜV NORD 认证，符合 IEC 61508

标准 (2.0 版 ) 和 IEC 61511 标准

• 隔膜密封系统采用新型 TempC 膜片：

最小温度效应、膜片厚度和短复原时间

• 提供 ASME-BPE 认证型仪表

E+H单法兰压力变送器陶瓷传感器是非充油型传感器 ( 干式传感器 )。过程压力直接作用在坚固耐用的陶瓷过程隔离膜片

上，导致膜片发生形变。测量陶瓷基板上的电极和过程隔离膜片上与压力成比例关系的电容变化

量。陶瓷过程隔离膜片的厚度确定测量范围。

优点：

• 抗过载能力为 40 倍标称压力

• 采用 99.9% 超纯陶瓷

– 化学稳定性，可与 Alloy C 合金媲美

– 低松弛度

– 高机械稳定性

• 可在真空中使用

• 超高表面光洁度 Ra  0.3 m (11.8 in)

PMP51

在工作压力作用下过程隔离膜片发生形变。填充液将压力传输至电阻桥路上 ( 半导体技术 )。测量

与压力相关的桥路输出电压，并进行后续处理。

优点：

• 可在过程压力不超过 400 bar (6000 psi) 的条件下测量

• 高长期稳定性

• 抗过载能力为 4 倍标称压力

• 相比于隔膜密封系统，热效应影响显著降低

PMP55

工作压力作用在隔膜密封系统的过程隔离膜片上，隔膜密封系统中的填充液将压力传输至传感器

的过程隔离膜片上。过程隔离膜片发生形变，填充液将压力传输至电阻桥路上。测量与压力相关

的桥路输出电压，并进行后续处理。

优点：

• 取决于仪表型号，可在过程压力不超过 400 bar (6000 psi) 和高过程温度条件下测量

• 高长期稳定性

• 抗过载能力为 4 倍标称压力

优势

• 在仪表软件中选择不同的液位测量模式

• 通过用户自定义特征曲线可在任意形状的罐体中进行体积和质量测量

• 多种液位测量单位可选

• 应用广泛，即使在下列情形中：

– 泡沫液面

– 带搅拌器或屏蔽装置的罐体

– 液化气体