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GKH-HTGB-C16 华科智源-HTGB高温栅偏试验系统
具体成交价以合同协议为准
2026-02-21深圳市
- 型号
- GKH-HTGB-C16
产品简介
华科智源-HTGB高温栅偏系统，将被测量元件放置在一定的环境温度中，给被测元件的栅极施加一定的偏置电压。系统实时检测每个材料的漏电流、电压，当被测材料实时漏电流超过设定值时，自动切断被测材料上的电压。
详细信息
| ★主要技术规格和性能: | ||
| 产品型号 | GKH-HTGB-C16 | |
| 产品名称 | 高温栅偏试验系统 | |
| 高温试验箱 | PH-201高温试验箱一台， | |
| 试验区域 | 16个 | |
| 试验容量 | 每通道80工位，共16通道。 | |
| 试验电源 | 选配TDK的Z+系列电源或安捷伦试验电源。 | |
| 电源数量：配置4台/8台电源。 | ||
| 输出范围：0～35V或0～60V。 | ||
| 主要功能 | ① 正常HTGB试验，通过按钮可以选择正栅压或负栅压，两种偏压工作时只能二选一，不能同时工作。 | |
| ② 热阻测量，即测量HTGB工作时的Tj值。 | ||
| ③ 高温试验箱内可放置4层板或8层板。具体需根据器件的封装尺寸定义。当被测量模块体积过大时，由于体积的限制，被测器件数据需相应减少。 | ||
| ④ 可选配温度为300℃的高温试验箱。 | ||
| 测控功能 | ① 检测每个材料的电压、漏电流值。 | |
| ② 漏电流超限保护，自动切断测量回路。 | ||
| ③ 测量电流范围：1nA～100uA； | ||
| ④ 电流分辨率：0.5nA； | ||
| ⑤ 测量精度：±2%±3nA； | ||
| 防静电设计 | ① 设备外壳良好接地； | |
| ② 预留静电接地端子（香蕉插头插孔）方便操作员连接静电环。 | ||
| 计算机 | 工业级电脑主机、液晶显示器、专用键盘及鼠标。WINDOWS操作界面，友好的人机对话窗口， *的图形编辑能力以及*的器件库供用户选择，软件操作简单易学。更有系统查询诊断功能， 试验状况一目了然，方便用户随时查验。 | |
| 老化板 | 可按客户的器件封装定制老化板。 | |
| 电网要求 | 单相AC220V±10%，47Hz~63Hz，6KW | |
| 外形尺寸 | W1360mmхH1820mmхD1320mm | |
| 重量 | 约500kg | |
高温反偏试验（High Temperature Reverse Bias Test，HTRB）是在高温下加上反向偏压的工作模式，由于高温下漏电流增加，质量差的器件就会失效，以此评估产品的可靠性。
测试温度：125℃，150℃或175℃。
测试时间：168h，500h，1000h。
测试目的：研究器件在静态工作模式下，以额定反向直流电压下或者80%额定反向直流电压进行工作，以确定偏置条件和温度随时间对固态设备的影响。
参考测试标准：JESD22-A108
高温栅偏试验（High Temperature Gate Bias, HTGB）主要是用于测定栅氧本身及相关界面的可靠性。
测试温度：150℃或175℃。
测试时间：500h，1000h。
参考测试标准：JESD22-A108
HTBR和HTGB是可靠性测试中见的测试项目。
适用测试器件：功率二极管， SiC肖特基和肖特基二极管，晶闸管，三端双向可控硅和IGBT。
试验设备：高温反偏试验机
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