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SI雪崩光电二极管
具体成交价以合同协议为准
2026-07-01深圳市
- 型号
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产品简介
SI雪崩光电二极管 特点：高速率低暗电流平面正照结构
详细信息
SI雪崩光电二极管
特点：
高速率
低暗电流
平面正照结构,进口芯片
应用：
测距
物理化学过程的快速光信号探测
用于主波取录、YAG 光脉冲测量及光纤通信的光探测
光电特性(T = 22℃)：
| 参 数 | 符号 | 典型值 | 测试条件 |
| 光谱响应范围（nm） | λ | 400~1100 | |
| 光敏面直径(um) | Φ230 Φ500 | ||
| 响应度（A/W） | Re | 60 | 900nm |
| 工作电压（V） | vR | 120 | f=1MHz, |
| 击穿电压（V） | vBR | 140 | Ir=10uA, |
| 暗电流（nA） | ID | 5 | |
| 总电容（pF） | Cj | 0.8 | f=1MHz |
| 响应时间（ns） | tr | 0.7 |
note:图片仅供参考,尺寸以实物为准,具体性能指标见每支器件参数
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