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P300B 半导体器件特性分析仪测试参数

具体成交价以合同协议为准

2025-09-08武汉市
型号
P300B
参数
品牌:普赛斯仪表 产地:国产 加工定制:否 工作环境:25±10℃ 测试范围:±300mV~±300V/±100pA~±3A 测试精度:0.03%
武汉普赛斯仪表有限公司

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源表,数字源表,SMU,脉冲电流源
产品简介
武汉普赛斯仪表半导体器件特性分析仪测试参数汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能,Z大脉冲输出电流达30A,Z大输出电压达300V,支持四象限工作,因此能广泛的应用于各种电气特性测试中
详细信息

半导体分立器件特性参数测试是对待测器件(DUT)施加电压或电流,然后测试其对激励做出的响应;通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成,如数字表、电压源、电流源等。然而由数台仪器组成的系统需要分别进行编程、同步、连接、测量和分析,过程既复杂又耗时,还占用过多测试台的空间。而且使用单一功能的测试仪器和激励源还存在复杂的相互间触发操作,有更大的不确定度及更慢的总线传输速度等缺点。

实施特性参数分析的最佳工具之一是数字源表(SMU)。普赛斯历时多年打造了高精度、大动态范围、帅国产化的源表系列产品,集电压、电流的输入输出及测量等功能于一体。可作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表,还可用作精密电子负载。其高性能架构还允许将其用作脉冲发生器,波形发生器和自动电流-电压(I-V)特性分析系统,支持四象限工作。普赛斯“五合一”高精度数字源表(SMU)可为高校科研工作者、器件测试工程师及功率模块设计工程师提供测量所需的工具。不论使用者对源表、电桥、曲线跟踪仪、半导体参数分析仪或示波器是否熟悉,都能简单而迅速地得到精确的结果。半导体器件特性分析仪测试参数认准普赛斯仪表咨询

半导体器件特性分析仪测试参数

P系列脉冲源表是普赛斯在直流源表的基础上新打造的一款高精度、大动态、数字触摸源表,汇集电压、电流输入输出及测量等多种功能,Z大脉冲输出电流达30A,Z大输出电压达300V,支持四象限工作,因此能广泛的应用于各种电气特性测试中。PXOOB系列源表适用于各行各业使用者,特别适合现代半导体、纳米器件和材料、有机半导体、印刷电子技术以及其他小尺寸、低功率器件特性分析。


脉冲源表特点  

•5寸触摸显示屏全图形化操作                         
•内置*的功能软件,加速用户完成测试,如LIV、PIV
•源及测量的准确度为0.03%
•四象限工作(源和阱),源及测量范围广:电流低至1pA,电压高至300V
•Z小脉冲宽度200μs
•丰富的扫描模式,支持线性扫描、指数扫描及用户自定义扫描
•支持USB存储,一键导出测试报告
•支持多种通讯方式,RS-232、GPIB及以太网        


提供的应用程序

- 序列扫描

- 数据记录仪:持续输出恒压源测试模式;持续输出恒流源测试模式

- APD管

- 晶体管:MOSFET 管测试;三极管测试

- LIV:PIN 管扫描测试

- 波形发生器:设置正弦波、三角波、方波、锯齿波四种波形;直流模式输出和脉冲模式输出;可以设置自定义序列


脉冲源表应用
•分立半导体器件特性测试,电阻、二极管、发光二极管、齐纳二极管、PIN二极管、BJT三极管、MOSFET、SIC等
•能量与效率特性测试,LED/AMOLED、太阳能电池、电池、DC-DC转换器等
•传感器特性测试,电阻率、霍尔效应等

•有机材料特性测试,电子墨水、印刷电子技术等

•纳米材料特性测试,石墨烯、纳米线等

半导体器件特性分析仪测试参数


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产品参数

品牌 普赛斯仪表
产地 国产
加工定制
工作环境 25±10℃
测试范围 ±300mV~±300V/±100pA~±3A
测试精度 0.03%
提示

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