栅极驱动器MF2008SW新电元工业SHINDENGEN

栅极驱动器MF2008SW新电元工业SHINDENGEN

栅极驱动器MF2008SW新电元工业SHINDENGEN

栅极驱动器MF2008SW

栅极驱动器MF2008SW概要：

随着电子设备的功能强化、功能集成和多功能化，功耗也不断增加。传统ECU输入端的逆接保护和防止逆电流用元器件使用二极管，但是存在电流增加导致功率损耗和发热增加的课题。因此作为替代器件，对“理想二极管”的需求越来越高。这些器件需在装置处于省电状态或轻负载状态下也能稳定防止逆电流，因此对可靠性的要求更高。

为了满足这样的需求，新电元工业公司推出了High-side Nch-MOSFET栅极驱动器IC“MF2008SW”。本产品与Nch-MOSFET组合，可作为理想二极管使用。 通过在前代产品※1中引入正向控制，可在逆电流流过之前将Gate关断，在轻负载状态下也能防止逆电流。另外，与传统二极管相比※2，可降低约72％的功耗和约51％的温升※3，因此有助于车载产品等需要逆接和逆电流保护的设备实现小型化和低功耗化。另外，与两个Nch-MOSFET组合，还可作为双向导通的半导体继电器使用。与传统的机械式继电器相比，可将响应时间缩短至约1/1000，并可减少约96％的贴装面积，有助于实现小型化和高速响应。

特点：

正向控制功能。【VIN】-【OUT】<30mV时停止升压，【VIN】-【OUT】>45mV时重启升压，以此来控制外置NchMOSFET的VDS电压。

在逆电流流过之前实现Gate关断。

降低功耗。作为理想二极管使用时，与传统二极管相比，可降低约72％的功耗。

抑制温升。作为理想二极管使用时，与传统二极管相比，可抑制约51％的温升。