660V半导体雷击浪涌发生器

8/20半导体/手机配件低电压雷击浪涌发生器
雷击浪涌发生器技术参数
1、 雷击浪涌发生器介绍
雷击浪涌发生器SOSIN 8/20专门针对防浪涌保护等半导体器件及通信产品而设计的防浪涌测试产品，产品符合IEC61000-4-5和GB/T17626.5及 GR-1089-CORE等相关标准要求。
2、 产品设计制造依据标准
l GB/T 17626.5-2008《电磁兼容试验和测量技术 浪涌(冲击)抗扰度试验》

lIEC61000-4-5：Testing and measurement techniques-Surge immunity test

3、产品特点
●7寸彩色触摸屏；
●支持中英文语言，方便不同用户使用；
●内置环境自动检测程序；

产品技术参数

主机技术参数

符合标准 GB/T 17626.5、IEC61000-4-5、GR-1089-CORE

操作方式 7英寸彩色触摸屏

浪涌波形 开路电压波：1.2±30% /50μs ±20% 

短路电流波：8±30% /20 μs±20% 

开路电压 2～660V±10%

短路电流 1～330A

浪涌极性 正 / 负，正负交替

输出阻抗 2 Ω

输出模式 通电测试、脱电测试

耦合/去耦网络 内置，8A

次数 1～9999 次

间隔时间 3～9999s

工作电源 AC220V 50/60Hz

环境温度 15 ℃～35 ℃

CDN技术参数

耦合浪涌电压 5～±660V

耦合电容 9uF / 18uF

去耦电感 1.5mH

共模电阻 10Ω

容量 DC 1～300V，5A

4、雷击浪涌发生器实测波形
1.开路1.2/50μS电压波形 2.短路8/20μS电流波形