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参考价:

起订量:

  • 1000
  • ≥1台
PMST-3500V 半导体器件功率分析仪

具体成交价以合同协议为准

2024-08-06武汉市
型号
PMST-3500V
参数
品牌:普赛斯仪表 产地:国产 加工定制:否 集电极-发射极最大电压:3500V 最大电流:6000A 漏电流测试范围:1nA~100mA
武汉普赛斯仪表有限公司

初级会员2生产厂家

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产品简介
普赛斯以自主研发为导向,深耕半导体测试领域,在I-V测试上积累了丰富的经验,先后推出了直流源表,脉冲源表、高电流脉冲源表、高电压源测单元等测试设备,广泛应用于广泛应用于半导体测试行业; 本功率器件静态参数测试系统可以完成多项参数测试,如ICES、IGESF、IGESR、BVCES、VGETH、VCESAT、VF等;半导体器件功率分析仪就找普赛斯仪表
详细信息

半导体器件功率分析仪特点和优势:


单台Z大3500V输出;


单台Z大1000A输出,可并联后Z大4000A;


15us的超快电流上升沿;


同步测量;


国标全指标的自动化测试;


可定制夹具;


纳安电流和uΩ级电阻测量;

半导体器件功率分析仪

测试项目
集电极-发射极电压Vces,集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描,C-V特性曲线扫描等


测试夹具

针对市面上不同封装类型的硅基功率半导体,IGBT、SiC、MOS、GaN等产品,普赛斯提供

整套测试夹具解决方案,可用于T0单管,半桥模组等产品的测试。


普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段,实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对半导体器件功率分析仪感兴趣,欢迎随时联系我们

半导体器件功率分析仪




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详询客服 : 0571-87858618

产品参数

品牌 普赛斯仪表
产地 国产
加工定制
集电极-发射极最大电压 3500V
最大电流 6000A
漏电流测试范围 1nA~100mA
提示

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