初级会员第 2 年生产厂家
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普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段,实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对普赛斯功率半导体器件静态参数测试方案和国产化高精度源表感兴趣,欢迎随时联系我们!
50~500us的脉冲宽度连续可调;
15us的超快上升沿;
同步测量电压;
单台最大可达1000A输出;
可极性反转;
0.1%测试精度;
技术参数
应用领域
肖特基二极管
整流桥堆
IGBT器件
IGBT半桥模块
IPM模块
普赛斯以自主研发为导向,深耕半导体测试领域,在I-V测试上积累了丰富的经验,先后推出了直流源表,脉冲源表、脉冲恒流源、脉冲恒压源、功率器件静态测试系统、大功率激光器老化测试系统等测试设备,广泛应用于高校研究所、实验室,新能源,光伏,风电,轨交,变频器等场景。普赛斯全新升级S系列数字源表更大直流,更高精度,科研实验比备源表,标准的SCPI指令集,上位机软件功能丰富,半导体测试领域的经典产品!更多有关功率器件短路测试电源的信息欢迎随时咨询武汉普赛斯仪表!