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1900nmLED发光二极管
具体成交价以合同协议为准
2024-02-22
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产品简介
1900nm发光二极管SMB1N-1900D-02和SMB1N-1900D均采用聚酰胺树脂SMD 封装(PA9T)。Roithner 1900nmLED发光二极管带有1000x1000μm的砷化镓芯片（InGaAs chip）。
详细信息
PA9T SMD封装的Roithner发光二极管，1900nm波长，30mW高功率
1900nm发光二极管SMB1N-1900D-02和SMB1N-1900D均采用聚酰胺树脂SMD 封装(PA9T)。Roithner 1900nmLED发光二极管带有1000x1000μm的砷化镓芯片（InGaAs chip）。砷化镓芯片技术以及采用耐热聚酰胺 (PA9T) SMD封装，底座尺寸均为5x5mm。该产品有SMB1N系列一如既往的的高功率。
SMB1N-1900D是一款基于InGaAsP的表面贴装高功率红外高功率LED，典型峰值波长为1900nm，光输出功率为27mW@1A。Roithner 高功率发光二极管采用聚酰胺树脂 SMD 封装 (PA9T)，带有镀银焊盘（可无铅焊接）、铜散热器和硅树脂模压平窗。SMB1N-1900D-02的光输出功率为30mW@1A。1900nm高功率LED SMB1N-1900D-02不仅采用聚酰胺树脂SMD封装(PA9T)，带有镀银焊盘（可无铅焊接）、铜散热器和硅树脂模制透镜，还可根据要求提供不同光束角度的其他变体。
Roithner LED SMB1N-1900D与SMB1N-1900D-02的区别是SMB1N-1900D-02含有透镜，从而导致其光束角为±9°，而SMB1N-1900D的光束角为±64°。
Roithner 1900nm LED的主要特点：
-红外高功率LED
-特定波长1900nm，光输出功率27mW（SMB1N-1900D）或30mW（SMB1N-1900D-02）
-砷化镓芯片（InGaAs chip），1x1mm
- PA9T SMD 封装
-光束角±64°（SMB1N-1900D）或±9°（SMB1N-1900D-02）
1900nmLED发光二极管的额定值*：
| 参数 | 符号 | 最小值 | 值 | 单位 |
| 功率耗散 | PD | | 1600 | mW |
| 正向电流 | IF | | 1000 | mA |
| 脉冲正向电流** | IFP | | 2000 | mA |
| 反向电压 | UF | | 2 | V |
| 热阻 | RTHJA | | 10 | K/W |
| 结温 | TJ | | 120 | °C |
| 工作温度 | TCASE | -40 | +85 | °C |
| 存储温度 | TSTG | -40 | +100 | °C |
| 引线焊接温度 (tmax.5s) | TSLD | | +250 | °C |
*接近或超过这些参数的操作可能会损坏设备
**占空比=1%，脉冲宽度=10μs
1900nm高功率LED电子光学特性（TCASE = 25°C）：
| 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 值 | 单位 |
| 峰值波长 | λP | IF=1 A | 1850 | | 1950 | nm |
| 半宽 | λΔ | IF=1 A | | 120 |
| nm |
| 正向电压 | VF | IF=1 A | | 1.2 | 1.6 | V |
| VFP | IFP=2 A* | | 1.6 |
| ||
| 总辐射功率 | PO | IF=1 A | 18 | 27 |
| mW |
| IF=2 A* | | 47 |
| |||
| 辐射强度 | IE | IF=1 A | | / |
| mW/sr |
| IF=2 A* | | / |
| |||
| 视角 | 2θ1/2 | IF=100 Ma | | 128 |
| deg. |
| 上升时间 | tr | IF=1 A | | 90 |
| ns |
| 下降时间 | tf | IF=1 A | | 30 |
| ns |
*占空比=1%，脉冲宽度=10μs
1900nmLED发光二极管的外形尺寸：
1900nm发光二极管SMB1N-1900D
红外高功率Roithner LED典型性能曲线：
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