半导体分立器件特性参数测试是对待测器件（DUT）施加电压或电流，然后测试其对激励做出的响应；通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成，过程既复杂又耗时，还占用过多测试台的空间。实施特性参数分析的最佳工具之一是半导体分立器件静态测试系统，普赛斯半导体分立器件静态测试系统集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、纳安级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容、输出电容、反向传输电容等。

半导体分立器件静态测试设备特点和优势：
 
单台Z大3500V输出；
 
单台Z大1000A输出，可并联后Z大6000A；
 
15us的超快电流上升沿；
 
同步测量；
 
国标全指标的自动化测试；

系统指标

测试项目
集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
 
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
 
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
 
输入电容、输出电容、反向传输电容     

续流二极管压降Vf
 
I-V特性曲线扫描，C-V特性曲线扫描等
 
普赛斯半导体分立器件静态测试设备集多种测量和分析功能一体，可精准测量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，电压可高达10KV,电流可高达6KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数，具有高电压和大电流特性，uΩ级电阻，皮安级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如输入电容，输出电容、反向传输电容等。功率器件静态参数测试系统采用模块化设计，方便用户添加或升级测量模块，适应测量功率器件不断变化的需求。 

选择普赛斯仪表的理由

武汉普赛斯是国内最早生产源表的厂家，产品系列丰富：产品覆盖不同的电压、电流范围，产已经过了市场的考验、市面有近500台源表在使用；

普赛斯仪表特色：高电流、高电压测试，3500V电压下可测量皮安级漏电流，1000A脉冲电流源15us的超快上升沿。