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产品介绍:
KJ-T1200-S60K-4C型四路高温真空CVD设备由KJ-T1200滑动式快速退火管式炉+真空系统+供气系统组成 ,温度可以达到1200度,极限真空可以达到10-3Pa,供气系统是流量调节可以是质子流量计,可以对多种气体进行精确的混气,然后导入到管式炉内部。
KJ-T1200-S60K-4C系列快速退火炉炉管两端安装真空法兰,真空度用分子泵可以到10-5Torr,机械泵可到10-3Torr。炉底安装一对滑轨,可用手动滑动。加热和冷却速率可达100°C/m。为取得加热,可以预先加热炉子到设定的温度,然后移动炉子到样品位置。为获得冷却,可在样品加热后移动炉子到另一端。加热和冷却速率在真空或者惰性气体环境下可以达到10°C/s,是低成本快速热处理的理想炉子。
应用范围:
化学气相沉积(CVD)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法,是半导体工业中应用广泛的用来沉积薄膜材料的技术,包括大范围的绝缘材料,以及大多数金属材料和金属合金材料、二维材料等,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。是高校、科研院所、工矿企业做高温气氛烧结、气氛还原、CVD实验、真空退火用的理想产品。
规格参数:
产品名称 | 四路高温真空CVD设备 | |
产品型号 | KJ-T1200-S60K-4C | |
工作温度 | 1100°C | |
温度 | 1200°C | |
加热速率 | 建议:0- 10°C/min {:0-20℃/min} | |
加热区 | 三温区 | |
加热区长度 | 200+350+200mm | |
控温精度 | ±1°C | |
炉管直径 | OD60mm | |
炉管长度 | 大约1200mm-1400mm | |
真空法兰 | 两个不锈钢密封法兰,法兰上已经安装数字式真空显示计,和阀门通过机械泵真空压力可以达到5x10-2 torr,泄漏率6 mtorr/min | |
温控 | 智能PID多段程序控温 | |
加热曲线 | 30段可编程 | |
功率 | 4KW | |
电压 | 220V,50HZ,单相 | |
质子流量计 | 4路精密质子流量计:数字显示、气体流量自动控制。 MFC 1范围: 0~100 sccm MFC 2范围: 0~200 sccm MFC 3范围: 0~200 sccm MFC 4范围: 0~500 sccm 气路:4路 流量精度: 0.2% 进气和出气接口: 1/4" 卡套 一个混气罐。 每路气路都有一个独立的不锈钢针阀控制。 通过控制面板上的旋钮来调节气体流量。 |
标准配件:
质子混气系统1台、双旋机械泵1台、K型热电偶1支、气炼石英炉管1根、不锈钢法兰1套、不锈钢炉钩1、刚玉炉塞2对、高温手套1副、刚玉坩埚2个、氢气检漏器1个、说明书1份
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