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德国SUSS掩模对准光刻平台MA300 Gen3
在半导体先进封装与三维异构集成领域,随着晶圆尺寸提升与精细线宽管控要求提高,光刻工艺的实施难度也逐步增加。SUSS MicroTec是微结构加工设备供应商,MA300 Gen3全自动掩模对准光刻平台,可适配200mm与300mm规格晶圆,能够满足工厂大批量生产的使用要求。
MA300 Gen3是面向200mm、300mm晶圆打造的掩模对准设备,主要应用于前沿先进封装场景。设备可兼容两种主流晶圆尺寸,能够在研发实验、规模化量产等不同环境中保持统一的工艺标准,场景适配能力较强。
设备搭载DirectAlign®技术与PatMax视觉算法,支持顶面、底面、红外多维度对准模式,整体对准精度可达0.5μm。底面对准功能可应用于减薄晶圆、双面结构化晶圆加工,红外对准则能够对临时键合晶圆等红外透明材质完成识别定位,适配多样化特殊晶圆工艺。
MA300 Gen3采用近距曝光技术,不受投影光学系统焦深限制,可完成数微米至100μm及以上厚度光刻胶层的曝光作业,保障图案完整呈现。该工艺方式适用于TSV通孔成型、晶圆凸点制备等工序,在复杂厚胶光刻场景中可以保持稳定的工艺状态。
| 参数项目 | 技术指标 |
| 曝光光照度 | 90 mW/cm² |
| 光强均匀度 | 2.5%(300mm晶圆全幅面) |
| 系统分辨率 | 优于4微米 |
| 对准精度 | 0.5 μm |

该设备属于SUSS LithoPack完整光刻解决方案的核心组成部分,可加装过滤单元形成独立密封微环境,降低颗粒物带来的工艺缺陷。设备可与涂胶、显影设备集成联动,自动完成底涂、旋涂、烘烤、曝光、显影、坚膜等全流程工序,减少晶圆跨设备转运过程中产生的污染问题,保障整体工艺连贯性。
德国SUSS掩模对准光刻平台MA300 Gen3