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具体成交价以合同协议为准
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HJ4N25为全密封单通道光电耦合器电路。它由一个CaAsP发光二极管和一个光学上耦合的NPN光敏管构成,具有输入与TTL电路兼容、输出管耐压大于35V、输入输出间绝缘电阻大于1010Ω、隔离电压≥1000V,以及较高的电流传输比等特点。采用双列直插6线陶瓷管壳封装,工作温度范围为-55~ +125℃。
电特性
除非另有说明,-55℃≤TA≤+125℃。
参数名称 | 符号 | 测试条件 | 规范值 | 单位 | |||
最小值 | 典型值 | 值 | |||||
输入正向导通电压 | VF | IF=10mA |
| 1.3 | 1.9 | V | |
输入反向电流 | IR | VR=5V |
| 1 | 10 | μA | |
输出漏电流 | ICEO | VCE=30V |
| 1 | 50 | μA | |
输出饱和压降 | VCES | IF=10mA, IO=5mA |
| 0.2 | 0.5 | V | |
电流传输比* | CTR | IF=10mA, VCE=0.4V | 50 |
| 500 | % | |
导通传输延迟时间** | ton | IF=25mA, VOC=5V TA=+25℃,RL=100Ω | VCE=0.8V |
|
| 4 | μs |
截止传输延迟时间** | toff | VCE=3.5V |
|
| 4 | ||
输出击穿电压 | BVCEO | IC=0.1mA | 35 |
|
| V |
*该参数可根据用户要求控制在较小的偏差范围。
** ton /toff包含了一般意义上的tPLH/tPHL以及tr/tf时间,并考虑了负载TTL/CMOS电路输入特性要求,较为简明实用。