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HUSTEC-1600A-MT IGBT静态参数测试仪

具体成交价以合同协议为准

2023-10-09深圳市
型号
HUSTEC-1600A-MT
参数
品牌:其他品牌 产地:国产 加工定制:否
深圳市华科智源科技有限公司

免费会员 生产厂家

该企业相似产品
IGBT测试仪,IGBT测试仪设备,大功率IGBT测试仪,大功率IGBT测试设备,IGBT测试仪系统
产品简介
华科智源HUSTEC-1600A-MT电参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试,还可以测量大功率二极管 、IGBT模块,大功率 IGBT、大功率双极型晶体管,MOS管等器件的 V-I 特性测试,测试1200A(可扩展至2000A),5000V以下的各种功率器件,广泛应用于轨道交通,电动汽车 ,风力发电,变频器,焊机行业的IGBT来料选型和失效分析,设备还可以用于变频器,风电,轨道交通,电焊机
详细信息

品牌: 华科智源

名称: IGBT测试仪

型号: HUSTEC-1600A-MT

用途: 广泛应用于器件设计,封装测试,轨道交通,电动汽车 ,风力发电,变频器,焊机等行


华科智源HUSTEC-1600A-MT电参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试,还可以测量大功率二极管 、IGBT模块,大功率 IGBT、大功率双极型晶体管,MOS管等器件的 V-I 特性测试,测试1200A(可扩展至2000A),5000V以下的各种功率器件,广泛应用于轨道交通,电动汽车 ,风力发电,变频器,焊机行业的IGBT来料选型和失效分析,设备还可以用于变频器,风电,轨道交通,电焊机等行业的在线检修,无需从电路板上取下来进行单独测试,可实现在线IGBT检测,测试方便,测试过程简单,既可以在测试主机里设置参数直接测试,又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试,通过电脑操作完成 IGBT 的静态参数测试;


测试参数:


ICES  集电极-发射极漏电流


IGESF 正向栅极漏电流


IGESR 反向栅极漏电流


BVCES 集电极-发射极击穿电压


VGETH 栅极-发射极阈值电压


VCESAT 集电极-发射极饱和电压


ICON 通态电极电流


VGEON 通态栅极电压


VF 二极管正向导通压降


整个测试过程自动完成,电脑软件携带数据库管理查询功能,可生成测试曲线,方便操作使用




1) 物理规格


设备尺寸:500(宽)x 450(深)x 250(高)mm;


质量:30kg


2) 环境要求


海拔高度:海拔不超过 1000m;


储存环境:-20℃~50℃;


工作环境:15℃~40℃。


相对湿度:20%RH ~ 85%RH ;


大气压力:86Kpa~ 106Kpa。


防护:无较大灰尘,腐蚀或爆炸性气体,导电粉尘等空气污染的损害;


3) 水电气 用电要求:AC220V,±10%;


电网频率:50Hz±1Hz





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产品参数

品牌 其他品牌
产地 国产
加工定制
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