Hiden TOF-qSIMS 飞行时间二次离子质谱工作站设计用于多种材料的表面分析和深度剖析应用，包括聚合物，药物，超导体，半导体，合金，光学和功能涂层以及电介质，检测限低于1ppm。

TOF-qSIMS Workstation 包含了四极杆质谱和飞行时间质谱。

四极杆qSIMS主要用于掺杂物深度剖析和薄层分析，低入射能力，高入射电流，溅射和分析连续进行，是典型的Dynamic SIMS 动态SIMS。

飞行时间二次离子质谱TOF-SIMS使用飞行时间质谱，质量数范围宽，质量分辨率高，且测量速度快（瞬间得到全谱）。离子枪仅需要一次脉冲溅射，即可得到全谱，对表面几乎无破坏作用。因脉冲模式分析，且电流小，所以产生的二次离子比率相对少，灵敏度相比动态SIMS弱，但成像和表面分析能力强，是典型的Stactic SIMS 静态SIMS。