双霍尔接近传感器F6-D20H1（NPN型）利用磁感应原理，使内部开关动作，达到接点通断的目的，实现对外电路的控制，*克服了机械碰撞开关存在的接触不良，易损坏等特点。具有工作频带宽，响应快、面积小、灵敏度高、便于集成化、多功能化等优点，且易与计算机和其它数字仪表接口，因此被广泛用于自动监测、自动测量、自动报警、自动控制等行业。

产品使用了先进的弱磁传感器和微电子器件，具有高的磁灵敏度、高的分辨率和宽的反应频率。电路设计采用了高抗干扰技术。输出有交流固体开关（AC SSR）和电磁继电器（EMR）触点两种方式，输出开关容量大。系统设计采用了高可靠技术，每种功能均设置两套电路，并联连接，只要不同时失效，开关即可正常工作。

工作原理及应用范围  
    霍尔集成电路是霍尔元件与电子线路一体化的产品，它是由霍尔元件、放大器、温度补偿电路和稳压电路利用集成电路工艺技术制成的。它能感知一切与磁有关的物理量，又能输出相关的电控信息，所以霍尔集成电路既是一种集成电路，又是一种磁敏传感器，它一般采用DIP或扁平封装。 

霍尔接近开关是根据霍尔效应原理制成的新型自动化开关器件。是以永磁体或导磁体作为触发媒介的无触点电子开关，通过霍尔效应元件接受磁力线的信号，经放大、整形后控制输出状态的通断。由霍尔开关电路、保护器、状态指示灯、防水外壳等组成，可将磁讯号转换成数字电压输出。是实现位置控制、状态控制、测速、计数、方向鉴别、自动保护的优选品种。其检测对象须是磁性物体。

双霍尔接近传感器F6-D20H1（NPN型）产品特点：
1、 响应频率高
2、重复定位精度高
3、 输出波形纯净、性能稳定
4、带工作状态指示
5、稳定、可以在油污、粉尘、振动和温差大的恶劣环境中可靠工作
6、 可以设置多重保护功能：反向极性保护，浪涌电压保护和过热保
7、 多种工作模式：常开、常闭、自锁、NPN输出、PNP输出

类型分类

常开型：开关平常处在断开状态，当磁体作用时，则开关处于闭合状态。

常闭型：开关平常处在闭合状态，当磁体作用时，则开关处于断开状态。

开闭型：即一个开关分两组共三根线，一根为公用线。一组为常开型，则另一组为常闭型。当磁体作用时，常开型处于闭合状态，常闭型处于断开状态。

什么是霍尔传感器

　　霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。

　　霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。

　　霍尔传感器的原理介绍

　　磁场中有一个霍尔半导体片，恒定电流I从A到B通过该片。在洛仑兹力的作用下，I的电子流在通过霍尔半导体时向一侧偏移，使该片在CD方向上产生电位差，这就是所谓的霍尔电压。

　霍尔电压随磁场强度的变化而变化，磁场越强，电压越高，磁场越弱，电压越低，霍尔电压值很小，通常只有几个毫伏，但经集成电路中的放大器放大，就能使该电压放大到足以输出较强的信号。若使霍尔集成电路起传感作用，需要用机械的方法来改变磁场强度。下图所示的方法是用一个转动的叶轮作为控制磁通量的开关，当叶轮叶片处于磁铁和霍尔集成电路之间的气隙中时，磁场偏离集成片，霍尔电压消失。这样，霍尔集成电路的输出电压的变化，就能表示出叶轮驱动轴的某一位置。

　　利用这一工作原理，可将霍尔集成电路片用作用点火正时传感器。霍尔效应传感器属于被动型传感器，它要有外加电源才能工作，这一特点使它能检测转速低的运转情况。

　　霍尔传感器的特性

　　1、精度高：在工作温度区内精度优于1%，该精度适合于任何波形的测量;

　　2、线性度好：优于0.1%;

　　3、霍尔传感器可以测量任意波形的电流和电压，如：直流、交流、脉冲波形等，甚至对瞬态峰值的测量。副边电流忠实地反应原边电流的波形。而普通互感器则是无法与其比拟的，它一般只适用于测量50Hz正弦波;

使用霍尔传感器注意事项

　　在使用霍尔电流传感器时，应注意一下几点：

　　1、为了得到较好的动态特性和灵敏度，必须注意原边线圈和副边线圈的耦合，要耦合得好，最好用单根导线且导线*填满霍尔传感器模块孔径。

　　2、使用中当大的直流电流流过传感器原边线圈，且次级电路没有接通电源|稳压器或副边开路，则其磁路被磁化，而产生剩磁，影响测量精度（故使用时要先接通电源和测量端M），发生这种情况时，要先进行退磁处理。其方法是次边电路不加电源，而在原边线圈中通一同样等级大小的交流电流并逐渐减小其值。

霍尔集成电路的原理 
  当将一块通电的半导体薄片垂直置于磁场中时，薄片两侧由此会产生电位差，此现象称为霍尔效应。此电位差称为霍尔电势，电势的大小E=KIB/d，式中K是霍尔系数，d为薄片的厚度，I为电流，B为磁感应强度。图1示出霍尔效应的原理：在三维空间内，霍尔半导体平板在XOY平面内，它与磁场方向垂直，磁场指向Y轴的方向，沿X轴方向通以电流I，由于运动的电荷与磁场的相互作用，结果在Z轴方向上产生了霍尔电势E，一般其值可达几十毫伏。为此，将霍尔元件与电子线路集成在一块约2mm*2mm的硅基片上，就做成了温度稳定性好、可靠性高的霍尔集成电路。