膜厚测量装置UTS-2000
▼概要
膜厚测定装置UTS-2000采用的分光分析技术，可以非接触，非破坏高速而且高精度的测量基板膜，基板厚，雕刻残余等的膜厚。 另外，使用标配的自动样品台可以分析电子元件内的膜厚分布。另外，有丰富的配件，测量扩散层之类的基板和膜界面不明朗膜厚的波长扩张组件，测量Si中杂质轻元素含量的透过测量系统，分析浓度的数据解析软件等，也可以对应膜厚测量之外的测量。另外，可以与自动搬送装置组合，对应产品研发到评价广泛的需求。
◆特征
・可测量0.25～750μm的测量大范围的膜厚（基板厚）
・采用高精度干渉計和高通量光学系统、可测量高准确度的膜厚数据。
・测量膜厚的必须条件･映射･膜厚计算的个条件可以作为菜单登陆管理
・可长波长扩张。可对应除去大气噪音的真空装置
・可测量Si 中的杂质轻元素、以及电子元件的透过测量
・对应自动搬送装置（配件）


◆测量原理
膜厚测量装置通过解析红外区域的干涉光谱，非破坏・非接触、高速而且高准确度计测膜厚。 通过计测可得到膜厚的周期干涉光谱。 干涉光谱由日本分光的周波数解析法转变为的公式通过峰值高准确度的算出膜厚。

◆高计测再现性
下图表示硅晶膜反复计测结果。反复计测10次的值如下、±0.001μm以下、 膜厚测量装置具有很高的计测再现性。

测量回数 計測値 [μm] 残差 [μm] 第1回 4.9001 -0.0013 第2回 4.9014 0.0000 第3回 4.9010 -0.0004 第4回 4.9019 0.0005 第5回 4.9015 0.0001 第6回 4.9018 0.0004 第7回 4.9011 -0.0003 第8回 4.9014 0.0000 第9回 4.9017 0.0003 第10回 4.9021 0.0007 平均値：4.9014 [μm] 標準偏差：0.0006 [μm]

◆膜厚计测程序
搭载了用户可以简单测量的程序。(如下图)







◆规格
▼UTS-2000

机种 UTS-2000 测量方式 FT/IR 干渉膜厚测量法 测量配置 反射、透过（选配） 样品尺寸 20 × 20 ～ 1200 × 1200μm 显示器 内置CMOS相机确认测量位置 　●测量范围／精度 测量膜厚范围 0.25μm～750μm（Siの場合） 测量膜厚再现性 0.005μm以下 (同一点繰返し測定時、Si の場合) 　●XY样品台 距离 200mm×200mm 驱动分辨率 2μm 　●数据处理部 对应OS Windows 7 Professional 控制装置 JASCO光学管理器控制光学系统／控制XY样品台／控制搬送机（选配）