详细信息

特性：

l  高达100mw输出功率

l  保偏或者单模可选

l  低RIN

l  激光密封和焊接

l  内置TEC制冷、热敏电阻

应用：

l  模拟 RF 链接

l  高速脉冲

l  光纤传感

l  长距离WDM系统

l  种子光源

 

主要特征参数：

 

特征	Sym.	最小	典型值		单位
芯片工作温度	TCHIP	20		40	°C
阈值电流	ITH		50		mA
驱动电流	IOP		375	500	mA
输出功率	Pop		100mW Version,I=IOP 100 80mW Version, I=IOP 80 63mW Version, I=IOP 63 50mW Version, I=IOP 50 40mW Version, I=IOP 40		mw
线宽	Δν		1		MHz
相对强度噪声	RIN			-150	dBc/Hz
边模抑制比	SMSR	30			dB
偏振消光比	PER	17	21		dB
光学隔离性	ISO	30	35		dB

* 各种参数需求可定制