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PME12-F-0150-S GEFRAN传感器PME12-F-0150-S-广州南创-位移传感器

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2019-10-16广州市
型号
PME12-F-0150-S
参数
绕组形式:双绕组 电源相数:单相 铁心形状:U型 外形结构:立式 产地:进口 加工定制:是
广州南创电子科技有限公司

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该企业相似产品
机械,工控,仪器仪表,批发零售,电子元器件,传感器等
产品简介
用M5螺纹机械联结。

超出理论电气行程无电气信号的变化,安装更简单。

改良型设计,满足各种条件下可靠测量的需求。

广泛适用于塑料成型机,立式压力机和其他生产设备。

采用新型槽口设计--传统支架式固定系统的理想代替方案。

保护等级 IP40
详细信息

【广州南创电子科技有限公司】是一家专门销售传感器、变送器、仪器仪表、工控设备等的*。借多年的自动化领域的理解和认识,坚持以科技为先, 用户唯先的企业运作,充分保证了产品的*性。各项指标已达到*水平。超越自我,超越现在,永居于国内微型测力传感器行业的*位置。

产品品牌:意大利GERFAN ,意大利杰弗伦

产品名称:PME12-F-0150-S

主要特征:

用M5螺纹机械联结。

超出理论电气行程无电气信号的变化,安装更简单。

改良型设计,满足各种条件下可靠测量的需求。

广泛适用于塑料成型机,立式压力机和其他生产设备。

采用新型槽口设计--传统支架式固定系统的理想代替方案。

保护等级 IP40

产品特色:

位移行程从100~2000mm

使用M5螺牙作连接

线性精度为正负0.05%全刻度

再现性度为0.01mm

无限的分辨率

不受外来的噪声干扰

位移速度可达5m/s(可选购10m/s)

保护等级为IP40

工作温度为-30~+100°C

使用寿命为<25百万公尺或<100百万次

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霍耳式位移传感器 它的测量原理是保持霍耳元件(见半导体磁敏元件)的激励电流不变,并使其在一个梯度均匀的磁场中移动,则所移动的位移正比于输出的霍耳电势。磁场梯度越大,灵敏度越高;梯度变化越均匀,霍耳电势与位移的关系越接近于线性。图2中是三种产生梯度磁场的磁系统:a系统的线性范围窄,位移Z=0时,霍耳电势≠0;b系统当Z<2毫米时具有良好的线性,Z=0时,霍耳电势=0;c系统的灵敏度高,测量范围小于1毫米。图中N、S分别表示正、负磁极。霍耳式位移传感器的惯性小、频响高、工作可靠、PME12-F-01000-B称重传感器【PME12-F-01000-B】 寿命长,因此常用于将各种非电量转换成位移后再进行测量的场合。 

光电式位移传感器 它根据被测对象阻挡光通量的多少来测量对象的位移或几何尺寸。特点是属于非接触式测量,并可进行连续测量。光电式位移传感器常用于连续测量线材直径或在带材边缘位置控制系统中用作边缘位置传感器。

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产品参数

绕组形式 双绕组
电源相数 单相
铁心形状 U型
外形结构 立式
产地 进口
加工定制
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