物理结构

1.1. 过程密

压力传感器扩散硅压力变送器设计保证即使传感器膜片损坏或故障时，压力传感器扩散硅压力变送器​仍能安全地工作。电子线路侧（室）有两级密封与过程隔离，第三级密封实现了与现场接线端子和导线管入口相隔离。过程密封的设计及其位置使变送器壳体耐压，并防止过程杂质由接线端子侧通过导线管进入。

1.2. 双室结构外壳

压力传感器扩散硅压力变送器​继承了TSK51系列的设计传统，为双室外壳设计。双室外壳令电子线路与外部环境相隔离，可防止由于环境潮湿或导线管冷凝损坏变送器。一般不要求导线管密封。另外，即使在传感器膜头*损坏时，双室结构也可以保证接线端子及导线管与过程相隔离。

1.3. 传感器膜片

压力传感器扩散硅压力变送器​​将压力传给硅压阻式压力传感器，传感器内充有硅油。对于表压变送器，传感器的参考压力为大气压；对于绝压变送器，传感器的参考压力是一个密封的真空参考源。

过程压力加在传感器的传感膜片上，令膜片产生一个微小变形，这会给予传感器内的惠斯登电桥施加一个应力，使惠斯登电桥产生应变电阻变化，电阻变化被测量,并转换为一个4~20mA直流电流变化被输出。

1.4. 电子线路板模块

电子线路采用ASIC（集成电路）和表面封装技术。电子板接收传感器膜头的经温度补偿的电阻变化信号后，对信号进行修正和线性化，输出一个直流电流信号。