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600V晶体三极管IXFL82N60P
具体成交价以合同协议为准
2018-04-02深圳市
- 型号
- 参数
- 产地:进口 加工定制:否
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产品简介
： 明佳达陈女士
详细信息
IXFL82N60P晶体三极管
| FET 类型 | N 沟道 |
|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 55A（Tc） |
| 驱动电压（zui大 Rds On，zui小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（zui大值） | 5V @ 8mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（zui大值） | 240nC |
| 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（zui大）@ Vgs | 10V |
| Vgs（zui大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（zui大值） | 23000pF |
| 电压，耦合至输入电容（Ciss）（zui大） @ Vds | 25V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（zui大值） | 625W（Tc） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（zui大值） | 78 毫欧 @ 41A，10V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | ISOPLUS264™ |
| 封装/外壳 | ISOPLUS264™ |
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