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光电二极管阵列

具体成交价以合同协议为准

2023-04-13
型号
产品简介
光电二极管阵列
详细信息


PA2100 光电探测器由6芯片光电二极管组成。这些二极管采用平面工艺技术制造。二极管用氮化硅进行了钝化处理,氮化硅用作抗反射层。二极管被粘合到印刷电路板上,由透环氧胶提供保护。二极管阵列能够以光电或光电导模式工作。

 

根据6路光电二极管的尺寸,PA2100有四种型号可选。

 

类型

尺寸

FD 3113

3.1 x 1.3 mm

FD 2712

2.7 x 1.2 mm

FD 2311

2.3 x 1.1 mm

FD 2309

2.3 x 0.9 mm


特性

  • 高响应度
  • 低电容
  • 适用于SMT
  • 高可靠性
  • 峰值波长达830 nm


PA2033 光电探测器由6芯片光电二极管组成。这些二极管采用平面工艺技术制造。二极管用氮化硅进行了钝化处理,氮化硅用作抗反射层。二极管被粘合到印刷电路板上,由透环氧胶提供保护。二极管阵列能够以光电或光电导模式工作。




特性

  • 高响应度
  • 低电容
  • 高可靠性
  • 峰值波长达830 nm


PA1001  光电探测器由6芯片光电二极管组成。这些二极管采用平面工艺技术制造。二极管用氮化硅进行了钝化处理,氮化硅用作抗反射层。二极管被粘合到印刷电路板上,由透环氧胶提供保护。二极管阵列能够以光电或光电导模式工作。




特性

  • 高响应度
  • 低电容
  • 适用于SMT
  • 高可靠性
  • 峰值波长达830 nm
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